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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5862 个

  • DC-DC电源非连续模式下的振荡原因分析-KIA MOS管

    当MOS管导通时(ta~tb),电流回路从VIN-Q1-L1-C1-GND,电感电流逐渐上升,此时UD电压约等于VIN;当MOS管关闭时(tb~tc),电流回路从L0001-C1-D1-L1,电感电流逐渐下降,此时UD电压约等于GND;当电感电流下降到0(tc~td,MOS管仍处于关闭状态),此时UD电压约...

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    www.kiaic.com/article/detail/3695.html         2022-08-03

  • MOSFET应用-功率损耗容易误解的三个要点-KIA MOS管

    总功率损耗Ptot的定义是:在焊接衬底温度维持在25℃时,器件达到最大结点温度时所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot来表达,节点温度才是最终的MOSFET是否过热损坏的判定参数。

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    www.kiaic.com/article/detail/3694.html         2022-08-03

  • 可控的开关电源软启动电路设计-KIA MOS管

    软启动与浪涌抑制完全不同,尽管这两种功能是互补的。两种动作都能在刚通电期间减小进入开关电源浪涌电流。然而不同的是,浪涌抑制直接对进入输入电容的电流进行限制,而软启动则通过作用于变换器控制电路使负载逐渐增大,这通常是通过增加脉冲宽度来实现的。

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    www.kiaic.com/article/detail/3693.html         2022-08-02

  • 【收藏】开关电源软启动电路设计图文-KIA MOS管

    热敏电阻防冲击电流电路如图2所示。它利用热敏电阻的Rt的负温度系数特性,在电源接通瞬间,热敏电阻的阻值较大,达到限制冲击电流的作用;当热敏电阻流过较大电流时,电阻发热而使其阻值变小,电路处于正常工作状态。

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    www.kiaic.com/article/detail/3692.html         2022-08-02

  • 【电子精选】限流软启动电路设计-KIA MOS管

    如果可以把电流始终限制在I_SET以下,可以去掉限流电阻,让电流保持略小于I_SET,快速充电。如下图,电流曲线的积分为V_CL,左右两图的阴影面积大小相同,可以看出,电容CL得到相同的电压时,限流电路充电时间t2明显小于固定电阻充电时间t1。

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    www.kiaic.com/article/detail/3691.html         2022-08-02

  • 【图文分析】单电源运放加偏置仿真电路-KIA MOS管

    单电源运放在放大时,为了能正确的放大信号,避免负半周出现失真,需要在放大前加入合适的偏置电路,保证放大信号不失真。

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    www.kiaic.com/article/detail/3690.html         2022-08-01

  • 单电源运放为什么要加偏置电压?详解-KIA MOS管

    如果使用单电源供电时,也就是IS1的最终流向是地,如果输入信号是交流信号,那么负半轴的信号并不能让输入端的Q1/Q2处于线性工作状态,会出现严重的放大失真。

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    www.kiaic.com/article/detail/3689.html         2022-08-01

  • 详细单电源运放的偏置方法-KIA MOS管

    单电源运放按照输出摆幅分为2类,单电源运放不仅可以单电源供电,而且也可以双电源供电。如果采用双电源供电,单电源运放就失去了他的优势,从而与普通的双电源运放在使用上没有太大的区别。因此本文只讨论单电源运放的单电源供电工作方式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3688.html         2022-08-01

  • 图文详解放大器输出阻抗的参数计算与仿真-KIA MOS管

    这种计算输出阻抗的误差主要在1MHz处对,开环增益的估计读数误差。它容易受到对数坐标系、曲线粗细等因素的影响。所以,使用LTspice仿真进一步验证开环输出阻抗的计算结果。

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    www.kiaic.com/article/detail/3687.html         2022-07-29

  • 【电子精选】放大器开环增益参数仿真图文-KIA MOS管

    开环增益(Open-Loop Gain,AVO或Avol),是指不具负反馈情况下(开环状态),放大器的输出电压改变量与两个输入端之间电压改变量之比。常以dB为单位。

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    www.kiaic.com/article/detail/3686.html         2022-07-29

  • 【技术好文】SOA曲线的画法及计算详解-KIA MOS管

    SOA曲线画法如下:1)先画Idm=25A横线(电流限制);一般Idm定义等于Id的4倍,有少数公司定义3倍,有少数公司的某些产品定义6倍。

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    www.kiaic.com/article/detail/3685.html         2022-07-29

  • 【技术好文】运放电路的几个电路设计细节-KIA MOS管

    阅读一个集成运放数据手册的时候,会发现集成运放的内部其实是一个多级的放大器,因此,不可避免的对系统引入了极点使得电路需要进行相位补偿。通常采用超前补偿、滞后补偿和滞后-超前补偿。

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    www.kiaic.com/article/detail/3684.html         2022-07-28

  • 运放失调电压与开环增益的关系分析-KIA MOS管

    在图 1a 所示最简单的 G=1 电路中,输出电压是运算放大器的失调电压。失调电压被建模为与一个输入端串联的DC电压。在单位增益中,G=1 时,失调电压直接传递至输出。在右侧高增益电路中,输出电压为1000?Vos.

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    www.kiaic.com/article/detail/3683.html         2022-07-28

  • 计算运放电路的输出失调详细方法-KIA MOS管

    理想运放的传递函数由等式y = A(V+ - V-)描述,其中y是输出,A是增益,A→∞,V+和V-分别是运放正、负输入端的电压。假设实际运放输入/输出传输特性为y = A(V+ - V- + e),其中e是理想运放的差分输入误差,可以计算出失调量。

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    www.kiaic.com/article/detail/3682.html         2022-07-28

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